一↟✘₪╃·、基片外觀檢查和吸水率檢測

　　檢查介質陶瓷基片是否表面色澤均勻↟✘₪╃·、平整↟✘₪╃·、無裂縫↟✘₪╃·、毛刺等；一同•·╃，介質陶瓷基片的吸水率應當處於為0.08％~0.35％ 的範圍內↟✘◕╃↟。

　　二↟✘₪╃·、清洗陶瓷基片

　　將用於基片清洗的洗片盒子用去離子水洗淨；將陶瓷基片放入洗片盒子中•·╃，用無水酒精進行清洗↟✘◕╃↟。超聲波電壓調為150±50V•·╃，清洗時間為20±2min•·╃，之後用棉籤悄悄擦洗陶瓷基片；再放入超聲波清洗機中進行用清洗劑（濃度為5％）清洗•·╃，超聲波輸出電壓調150±50V•·╃，清洗時間為20±2min•·╃，有需要浸沒全部基片；然後•·╃，用去離子水清洗20±2min•·╃，在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗↟✘◕╃↟。清洗結束後•·╃，將基片取出↟✘◕╃↟。

　　三↟✘₪╃·、燒結

　　將全部基片放入高溫爐中燒結•·╃，燒結溫度為600±100℃•·╃，保溫時間為60±30min↟✘◕╃↟。

　　四↟✘₪╃·、真空濺射

　　設定濺射引數•·╃，對濺射機進行腔體加熱•·╃，對濺射機進行腔體加熱的溫度為150℃~400℃↟✘◕╃↟。基片選用自轉和公轉方法•·╃，前進膜厚致性•·╃，選用直流濺射的方法進行濺射•·╃，一同選用線上監測體系•·╃，實時監測濺射膜厚↟✘◕╃↟。先濺射過渡層鈦鎢合金靶材•·╃，再濺射Au靶材•·╃，然後濺射Ni靶材↟✘◕╃↟。其間•·╃，濺射過渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa•·╃，濺射功率為200W~600W•·╃，濺射時間為100s~600s；濺射Au靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa•·╃，濺射功率為200W~600W•·╃，濺射時間為800s~1200s；濺射Ni靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa•·╃，濺射功率為200W~600W•·╃，濺射時間為2800s~3800s↟✘◕╃↟。真空濺射完結後•·╃，關掉加熱裝置•·╃，待爐溫冷卻至少8h後•·╃，將基片取出↟✘◕╃↟。

　　五↟✘₪╃·、熱處理

　　將濺射完結的基片進行真空熱處理•·╃，真空度高於10-2pa•·╃，真空熱處理溫度為200℃~700℃•·╃，熱處理時間為20~72h↟✘◕╃↟。

　　六↟✘₪╃·、切開

　　將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上•·╃，設定主軸的轉速和切開速度進行切開↟✘◕╃↟。其間•·╃，主軸轉速設定為26000~34000轉/分•·╃，切開速度設定為0.3~0.8mm/s；切開時先進行小樣切開•·╃，依據小樣產品電效能進行切開標準引數調整•·╃，前進產品的命中率↟✘◕╃↟。切開後除去邊角料；用酒精脫水•·╃，選用70℃~150℃的溫度•·╃，烘乾時間設定為30min↟✘◕╃↟。

　　七↟✘₪╃·、分選

　　對單層晶片電容進行外觀↟✘₪╃·、電容量和損耗分選•·╃，除去不合格品↟✘◕╃↟。

　　八↟✘₪╃·、對晶片電容進行100％溫度衝擊和電壓處理選擇↟✘◕╃↟。

　　九↟✘₪╃·、包裝

　　將產品裝入華夫托盤後進行入盒包裝↟✘◕╃↟。

　　這款單層晶片電容及其製備方法•·╃，在傳統制造方法的基礎上增加了基片吸水率的測驗•·╃，在基片清洗工序後增加了基片燒結工序進一步除去雜質•·╃，有用選擇了基片質量和前進了真空濺射工序電極附著力↟✘◕╃↟。一同•·╃，在真空濺射關鍵工序中增加了線上測驗體系•·╃，有用操控了各種資料濺射層厚度•·╃，避免了裝置引數動搖帶來影響•·╃，前進了產品的一致性和可靠性↟✘◕╃↟。在陶瓷金屬化過程中•·╃，選用全濺射方法•·╃，減少了電鍍工序帶來的影響↟✘◕╃↟。

       文章源自•☁╃：廣東晶片電容 http://www.angler-advantage.com