廣東晶片電容•☁╃:單層晶片電容的製備方法

2021-03-31 2452

  一↟✘₪╃·、基片外觀檢查和吸水率檢測

  檢查介質陶瓷基片是否表面色澤均勻↟✘₪╃·、平整↟✘₪╃·、無裂縫↟✘₪╃·、毛刺等;一同•·╃,介質陶瓷基片的吸水率應當處於為0.08%~0.35% 的範圍內↟✘◕╃↟。

  二↟✘₪╃·、清洗陶瓷基片

  將用於基片清洗的洗片盒子用去離子水洗淨;將陶瓷基片放入洗片盒子中•·╃,用無水酒精進行清洗↟✘◕╃↟。超聲波電壓調為150±50V•·╃,清洗時間為20±2min•·╃,之後用棉籤悄悄擦洗陶瓷基片;再放入超聲波清洗機中進行用清洗劑(濃度為5%)清洗•·╃,超聲波輸出電壓調150±50V•·╃,清洗時間為20±2min•·╃,有需要浸沒全部基片;然後•·╃,用去離子水清洗20±2min•·╃,在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗↟✘◕╃↟。清洗結束後•·╃,將基片取出↟✘◕╃↟。

  三↟✘₪╃·、燒結

  將全部基片放入高溫爐中燒結•·╃,燒結溫度為600±100℃•·╃,保溫時間為60±30min↟✘◕╃↟。

  四↟✘₪╃·、真空濺射

  設定濺射引數•·╃,對濺射機進行腔體加熱•·╃,對濺射機進行腔體加熱的溫度為150℃~400℃↟✘◕╃↟。基片選用自轉和公轉方法•·╃,前進膜厚致性•·╃,選用直流濺射的方法進行濺射•·╃,一同選用線上監測體系•·╃,實時監測濺射膜厚↟✘◕╃↟。先濺射過渡層鈦鎢合金靶材•·╃,再濺射Au靶材•·╃,然後濺射Ni靶材↟✘◕╃↟。其間•·╃,濺射過渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa•·╃,濺射功率為200W~600W•·╃,濺射時間為100s~600s;濺射Au靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa•·╃,濺射功率為200W~600W•·╃,濺射時間為800s~1200s;濺射Ni靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa•·╃,濺射功率為200W~600W•·╃,濺射時間為2800s~3800s↟✘◕╃↟。真空濺射完結後•·╃,關掉加熱裝置•·╃,待爐溫冷卻至少8h後•·╃,將基片取出↟✘◕╃↟。

廣東晶片電容

  五↟✘₪╃·、熱處理

  將濺射完結的基片進行真空熱處理•·╃,真空度高於10-2pa•·╃,真空熱處理溫度為200℃~700℃•·╃,熱處理時間為20~72h↟✘◕╃↟。

  六↟✘₪╃·、切開

  將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上•·╃,設定主軸的轉速和切開速度進行切開↟✘◕╃↟。其間•·╃,主軸轉速設定為26000~34000轉/分•·╃,切開速度設定為0.3~0.8mm/s;切開時先進行小樣切開•·╃,依據小樣產品電效能進行切開標準引數調整•·╃,前進產品的命中率↟✘◕╃↟。切開後除去邊角料;用酒精脫水•·╃,選用70℃~150℃的溫度•·╃,烘乾時間設定為30min↟✘◕╃↟。

  七↟✘₪╃·、分選

  對單層晶片電容進行外觀↟✘₪╃·、電容量和損耗分選•·╃,除去不合格品↟✘◕╃↟。

  八↟✘₪╃·、對晶片電容進行100%溫度衝擊和電壓處理選擇↟✘◕╃↟。

  九↟✘₪╃·、包裝

  將產品裝入華夫托盤後進行入盒包裝↟✘◕╃↟。

  這款單層晶片電容及其製備方法•·╃,在傳統制造方法的基礎上增加了基片吸水率的測驗•·╃,在基片清洗工序後增加了基片燒結工序進一步除去雜質•·╃,有用選擇了基片質量和前進了真空濺射工序電極附著力↟✘◕╃↟。一同•·╃,在真空濺射關鍵工序中增加了線上測驗體系•·╃,有用操控了各種資料濺射層厚度•·╃,避免了裝置引數動搖帶來影響•·╃,前進了產品的一致性和可靠性↟✘◕╃↟。在陶瓷金屬化過程中•·╃,選用全濺射方法•·╃,減少了電鍍工序帶來的影響↟✘◕╃↟。

       文章源自•☁╃:廣東晶片電容 http://www.angler-advantage.com


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