3.1產品特性  Features

  薄膜電路·₪，指的是在陶瓷基片上透過光刻·₪，電鍍等半導體工藝·₪，將電阻╃•·₪│、金屬導帶等整合為一體·₪，形成特定功能的電路↟╃││。主要有以下特點₪╃▩╃₪：

   A thin film circuit is fabricated by sputtering photolithography , plating as well as other standard semiconductor process . Film resistor , film inductor , film conductor and other distributed circuit components are integrated in one ceramic substrate . The features of the thin film circuits are as f0llows:

u 高整合度╃•·₪│、小體積 High integrity and small size

u 高精度╃•·₪│、提供優異的元器件效能   

High precision of the line , excellent component performance

u 優異的溫度穩定特性以及頻率特性·₪，使用頻率至毫米波

Excellent temperature and frequency characteristic , working frequency up to millimeter wave band

3.2產品運用 Applications

u 通訊領域₪╃▩╃₪：微波毫米波通訊╃•·₪│、光通訊╃•·₪│、5G通訊╃•·₪│、無線電通訊

Communications applications: Microwave &millimeter wave communications , Optical communications and Telecommunications

u LED大功率照明領域  LED power lighting applications

u 感測技術領域  Sensors applications

u 醫療成像領域  Medical imaging applications

u 生物技術領域  Biotech applications

3.3產品概述  Overview

3.3.1產品金屬層結構  Product  metallayers

3.4.2陶瓷基片  Ceramic Substrate

基片材料及引數  Substrate parameters

3.4.3常規厚度及程式碼

注₪╃▩╃₪：基片的選擇₪╃▩╃₪：基片的選擇主要取決於介電常數·₪，介電常數會決定導線的特徵尺寸↟╃││。電路具有精細的導線結構時應選用99.6%氧化鋁·₪，此款材料具有很精細的顆粒結構↟╃││。在功率較大的電路運用中應選擇99%氮化鋁·₪，此款材料具有很好的熱導率↟╃││。

厚度選擇₪╃▩╃₪：基片的厚度會直接影響產品的使用頻率·₪，以99.6%氧化鋁為例最佳的使用頻率為₪╃▩╃₪：

基片厚度為0.635mm·₪，最高使用頻率到6GHz；基片厚度為0.508mm·₪，最高使用頻率到12GHz；

基片厚度為0.381mm·₪，最高使用頻率到18GHz；基片厚度為0.254mm·₪，最高使用頻率到40GHz；

基片厚度為0.127mm時最高使用頻率可超過40GHz↟╃││。

3.4.4 金屬體系  Metal system  

本公司為客戶提供了4種金屬體系選擇·₪，若電路中含有電阻·₪，必需選擇含有TaN的金屬體系₪╃▩╃₪：

3.4.5 表面金屬化

通孔金屬化₪╃▩╃₪：為方便接地·₪，本公司可提供帶金屬化通孔的薄膜電路·₪，金屬化通孔電阻小於等於50毫歐姆↟╃││。

孔徑與基片厚度的最佳比例為1:1·₪，可加工的最小金屬化通孔孔徑為基片厚度的0.8倍·₪，孔位最小偏差為50μm·₪，詳細要求如下（T為基片厚度）₪╃▩╃₪：

金屬圖形化及效能精度₪╃▩╃₪：

3.4.6薄膜電阻設計規則  Resistor Design Formula